RFD7N10LE Harris Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Harris Corporation
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Vgs (Max): +10V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 47W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220-3
Verpackung / Koffer: TO-220-3