BSS84AKW-B115 NXP USA Inc. Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: NXP USA Inc.
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 50 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 150mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 350 pC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 260mW (Ta), 830mW (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SC-70
Verpackung / Koffer: SC-70, SOT-323
Basisproduktnummer: BSS84