TP65H150G4PS Transphorm Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Transphorm
Serie: SuperGaN®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 16A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 598 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 83W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220AB
Verpackung / Koffer: TO-220-3