NTP125N65S3H onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: SuperFET® III
Paket: Tube
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 171W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220-3
Verpackung / Koffer: TO-220-3