IPA030N10NF2SXKSA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: StrongIRFET??2
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 83A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 169µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 41W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO220 Full Pack
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack