MSC017SMA120S Microchip Technology Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 357W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: D3PAK
Verpackung / Koffer: TO-268-3, D鲁Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Basisproduktnummer: MSC017SMA