IXTT220N20X4HV IXYS Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: IXYS
Serie: Ultra X4
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 220A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 110A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12300 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 800W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TO-268HV (IXTT)
Verpackung / Koffer: TO-268-3, D鲁Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Basisproduktnummer: IXTT220