NTH4L060N090SC1 onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 900 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 46A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 20A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 15 V
Vgs (Max): +22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 450 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 221W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4L
Verpackung / Koffer: TO-247-4