SIJH800E-T1-GE3 Vishay Siliconix Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 80 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 29A (Ta), 299A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10230 pF @ 40 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.3W (Ta), 333W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® 8 x 8
Verpackung / Koffer: PowerPAK® 8 x 8