TPHR9203PL1,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIX-H
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 150A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 0.92mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7540 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SOP Advance (5x5.75)
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN