R6535KNX3C16 Rohm Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 370W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220AB
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: R6535