TK6R9P08QM,RQ Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSX-H
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 80 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 62A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 40 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 89W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DPAK
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63