SSM6J808R,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-TSOP-F
Verpackung / Koffer: 6-SMD, Flat Leads
Basisproduktnummer: SSM6J808