PSMN018-100ESFQ NXP Semiconductors Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: NXP Semiconductors
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 53A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 111W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: I2PAK
Verpackung / Koffer: -