SCH1430-TL-W onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 128 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 800mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-563/SCH6
Verpackung / Koffer: SOT-563, SOT-666