Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 500 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 20W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: TP-FA
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
