NTLJS3180PZTBG onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 16 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 700mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-WDFN (2x2)
Verpackung / Koffer: 6-WDFN Exposed Pad