AUIRLU3114Z-701TRL Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: HEXFET®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 42A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 140W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO251-3
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA