IMBG65R107M1HXTMA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: CoolSIC??M1
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 141mOhm @ 8.9A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.7V @ 2.6mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 18 V
Vgs (Max): +23V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 496 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 110W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO263-7-12
Verpackung / Koffer: -
Basisproduktnummer: IMBG65R