GPIHV30SB5L GaNPower Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: GaNPower
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 30A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 3.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.25 nC @ 6 V
Vgs (Max): +7.5V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 236 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: Die
Verpackung / Koffer: Die