NTMT185N60S5H onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: SuperFET® III
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 1.4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 116W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 4-TDFN (8x8)
Verpackung / Koffer: 4-PowerTSFN