NVMFS5H610NLWFT1G onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 13A (Ta), 48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.6W (Tc), 52W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket des Lieferanten: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN, 5 Leads