NVMFWS3D0P04M8LT1G onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 28A (Ta), 183A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A,10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5827 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.9W (Ta), 171W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN, 5 Leads