FBG20N18BC EPC Space, LLC Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: EPC Space, LLC
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 18A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 4-SMD
Verpackung / Koffer: 4-SMD, No Lead