EPC7014UBC EPC Space, LLC Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: EPC Space, LLC
Serie: e-GaN®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 140µA
Vgs (Max): +7V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 22 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): -
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 4-SMD
Verpackung / Koffer: 4-SMD, No Lead
Basisproduktnummer: EPC7014