IV1Q12160T4 Inventchip Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Inventchip
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 1.9mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 20 V
Vgs (Max): +20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 885 pF @ 800 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 138W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4
Verpackung / Koffer: TO-247-4