SIA4263DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen III
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7.5A (Ta), 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 52.2 nC @ 8 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1825 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.29W (Ta), 15.6W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® SC-70-6
Verpackung / Koffer: PowerPAK® SC-70-6