IPF016N10NF2SATMA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: StrongIRFET??2
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 274A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 267µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 241 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 300W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO263-7-14
Verpackung / Koffer: -
Basisproduktnummer: IPF016N