MSC080SMA330B4 Microchip Technology Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 3300 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 41A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 30A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.97V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 20 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3462 pF @ 2400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 381W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4
Verpackung / Koffer: TO-247-4
Basisproduktnummer: MSC080