RJK5013DPP-E0#T2 Renesas Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Renesas
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 500 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 14A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 465mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 30W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220FP
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack