UF4C120070K3S Qorvo Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Qorvo
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 27.5A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 37.8 nC @ 15 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 800 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 217W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-3
Verpackung / Koffer: TO-247-3