SI3499DV-T1-BE3 Vishay Siliconix Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 8 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±5V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.1W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-TSOP
Verpackung / Koffer: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6