SIDR220DP-T1-RE3 Vishay Siliconix Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Vishay Siliconix
Serie: TrenchFET® Gen IV
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 25 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 87.7A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerPAK® SO-8DC
Verpackung / Koffer: PowerPAK® SO-8