FCPF165N65S3R0L Fairchild Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Fairchild Semiconductor
Serie: SuperFET® III
Paket: Bulk
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 35W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220F-3
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack