NTTFS6H880NTAG onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 80 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6.3A (Ta), 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 40 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-WDFN (3.3x3.3)
Verpackung / Koffer: 8-PowerWDFN