DMN2710UTQ-13 Diodes Incorporated Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 870mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±6V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 16 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 320mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-523
Verpackung / Koffer: SOT-523
Basisproduktnummer: DMN2710