G30N02T Goford Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: TrenchFET®
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
FET-Funktion: Standard
Verlustleistung (max.): 40W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220
Verpackung / Koffer: TO-220-3