MSCSM120DAM31CTBL1NG Microchip Technology Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 79A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 310W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Chassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten: -
Verpackung / Koffer: Module
Basisproduktnummer: MSCSM120