G29 Goford Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 4.1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Vgs (Max): ±12V
FET-Funktion: Standard
Verlustleistung (max.): 1.05W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3