1002 Goford Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 387 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.): 1.3W
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3