DMN3069L-13 Diodes Incorporated Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Diodes Incorporated
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 309 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 800mW
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23-3
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproduktnummer: DMN3069