IPP011N04NF2SAKMA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: StrongIRFET??
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 44A (Ta), 201A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 249µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 315 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 3.8W (Ta), 375W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO220-3-U05
Verpackung / Koffer: TO-220-3