JANSR2N7593U3 Microchip Technology Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Microchip Technology
Serie: -
Paket: Tray
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 250 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 12.4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 7.8A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 12 V
Vgs (Max): ±20V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 75W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: U3 (SMD-0.5)
Verpackung / Koffer: 3-SMD, No Lead