G75P04FI Goford Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: TrenchFET®
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 60A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 6275 pF @ 20 V
FET-Funktion: Standard
Verlustleistung (max.): 89W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220F
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack