G250N03IE Goford Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Goford Semiconductor
Serie: TrenchFET®
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Vgs (Max): ±10V
FET-Funktion: Standard
Verlustleistung (max.): 1.4W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23-6L
Verpackung / Koffer: SOT-23-6