NVMJST1D2N04CTXG onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 451A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5340 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 454W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 10-TCPAK
Verpackung / Koffer: 10-PowerLSOP (0.209\ 5.30mm Width)
Basisproduktnummer: NVMJST1D