NVBG095N065SC1 onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 18 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 956 pF @ 325 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 110W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: D2PAK-7
Verpackung / Koffer: -
Basisproduktnummer: NVBG095