R6077VNZC17 Rohm Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 29A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 23A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1.9mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 113W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3PF
Verpackung / Koffer: TO-3P-3 Full Pack
Basisproduktnummer: R6077