ISZ330N12LM6ATMA1 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??6
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 120 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.7A (Ta), 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 11µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 60 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta), 43W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TSDSON-8 FL
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN
Basisproduktnummer: ISZ330