RH6R025BHTB1 Rohm Semiconductor Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Rohm Semiconductor
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 150 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 75 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 59W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-HSMT (3.2x3)
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Basisproduktnummer: RH6R025